Windows

Intel, Micron annonserer Flash-minne med høy tetthet

Micron Keynote at Flash Memory Summit 2017

Micron Keynote at Flash Memory Summit 2017
Anonim

Intel og Micron på tirsdag annonserte tettere NAND flash-minne, noe som kan bidra til å redusere plass opptatt av minnet mens du øker lagringskapasiteten på forbrukerelektronikk.

Den nye minnerenheten har plass til tre biter av data per celle og gir totalt lagringskapasitet på ca 64 gigabiter, som er ca 8 GB. Selskapene kalte det nye minnet deres minste NAND-enhet til dags dato.

Muligheten til å lagre tre bits per celle er en forbedring i forhold til tradisjonelt flashminne, som kan lagre om en eller to bits per celle. Den nye teknologien vil bidra til å kramme mer lagring i mindre mellomrom, sier selskapene.

Enheter som digitale kameraer og bærbare mediespillere som bruker NAND-flash, blir konsekvent mindre i størrelse, sa selskapene. Forskuddet kan også bidra til å gi minne til konkurransedyktige priser, samtidig som produksjonskostnadene reduseres.

Selskapene sender prøver til kunder og forventer at minnet skal være i masseproduksjon innen årets slutt. Minnet vil bli gjort ved hjelp av 25-nanometerprosessen.

Enheten er omtrent 20 prosent mindre enn selskapets to-bits-per-cell NAND-flash - også kalt multilevelcelle (MLC) NAND - laget ved hjelp av 25 nm prosess, med samme totale lagringskapasitet, sa selskapene.

"Da vi øker antall biter per celle, kan vi redusere kostnadene våre og øke kapasiteten vår," sa Kevin Kilbuck, direktør for NANDs strategiske markedsføring på Micron, i en video på Microns bloggside.

Den økte tettheten kommer imidlertid med noen avveier.

"Ytelsen og utholdenheten målt i antall ganger du kan programmere NAND … nedbryt som du øker antall biter per celle, "Kilbuck sa.

Kunngjøringen følger Intels og Microns februarmelding at de var prøvetaking MLC NAND flash laget ved hjelp av 25 nm prosessen. På den tiden sa selskapene at minnet ville gå inn i masseproduksjonen i andre kvartal. Intel tilbyr for tiden X25-serien av solid state-stasjoner basert på flashminne laget ved hjelp av 34 nm prosessen.