Forskere som arbeider med minne for å erstatte DRAM, NAND

En taiwansk forskningsgruppe har vendt seg til RRAM (Resistive-RAM) som den siste mulige Hellige Graal av minnebrikker, en som kan erstatte både DRAM og NAND flash-minne.

DRAM har vært den viktigste minnetypen som brukes i datamaskiner i flere tiår, og er verdsatt for dens evne til å håndtere data ved høye hastigheter. NAND flash-minne er nyere, men markedet har vokst raskt på grunn av de store mengdene sanger, bilder og andre data som den lagrer i iPods, iPhones, digitale kameraer og andre produkter.

Forskere ved Taiwans offentlig finansierte Industrial Technology Research Institute (ITRI) tror RRAM viser nok løfte om at det kan være klart for det innebygde chipmarkedet i løpet av de neste årene.

"Vi er fortsatt i det tidlige utviklingsstadiet," sa Tsai Ming-jinn, forskningsdirektør for nanoelektronisk teknologi Divisjon på ITRI.

"Nå kan vi ikke konkurrere med DRAM om pålitelighet," la han til.

De fleste minnebrikkeforskningsinitiativer fokuserer på dethroning enten DRAM eller NAND flash-minne fordi de holder sving over store markeder. Bare DRAM-markedet var verdt nesten 24 milliarder dollar i fjor, ifølge markedsundersøkeren iSuppli.

De fleste forsøk på å slå disse to minnekortene mislykkes ofte.

Faseendringsminne (PRAM) er for eksempel en slags av minnebrikke som ITRI planlegger å redusere sin forskningsinnsats på i år.

Til tross for tidlig løfte har ITRI funnet at PRAM er vanskelig å produsere. Forskningsgruppen planlegger å fullføre noen PRAM-relaterte forskningsprosjekter som går gjennom slutten av dette året, men deretter fase dem ut av sitt fokus.

Forskere går ofte inn i hindringer på vei til å utvikle en ny teknologi, men bar for en DRAM eller NAND erstatning er enda høyere. DRAM ble oppfunnet av IBM årtier siden og perfeksjonert gjennom årene av andre selskaper og forskningsgrupper. Sjetongene dominerer PCer på grunn av de høye hastighetene de kan håndtere data, men de har en ulempe. Når strømmen er slått, glemmer DRAM-sjokkene alle dataene sine.

NAND-flashminne er annerledes fordi det kan holde mye data om en enhet er på eller av, men den går for sakte til å erstatte DRAM.

Å slå disse sjetongene på deres teknologiske fortrinn er et problem. Den andre hindringen vil gjøre en ny brikke så mye bedre enn DRAM eller NAND, at det faktisk gir mening å erstatte chips.

Det vil ikke være lett med tanke på de milliarder dollar selskapene har brukt til å bygge DRAM- og NAND-fabrikker og Investerings-PC komponent beslutningstakere laget for å sikre sine komponenter, fra mikroprosessorer til hovedkort, arbeid med DRAM.

"Inngangsbarrieren er veldig høy," sa Tsai.

Derfor håper han at RRAM kan finne en inngang i elektronikk enheter i det innebygde chipmarkedet.

Det er lettere for minnekortene å konkurrere i det innebygde markedet, hvor chipmakere kombinerer funksjonene til flere chips på en, kalt en SoC (System on chip), fordi det ikke er grunn for at selskaper

RRAM er også bra for smartkort og SIM-kort som brukes i mobiltelefoner.

Sjetongene er raske som DRAM, men i motsetning til DRAM beholder de data når en enhet er slått av.

Men ITRI har en lang vei å gå med RRAM.

Gruppen har allerede p roduced 1Kbit prototype chips og vellykket produsert chips på 8-tommers wafers, to viktige skritt langs utviklingsbanen. Det vil fortsatt ta flere år å lage chips med nok lagringskapasitet til å lokke selv det innebygde chipmarkedet.

ITRI er for tiden i samtaler med noen få oppstart om å jobbe med chips, men de er ikke taiwanske selskaper, noe som er et problem. ITRI ​​er sponset av Taiwan-regjeringen og kreves av sitt mandat for først å gi lokale selskaper et skudd på et partnerskap om hvilken som helst ny teknologi den utvikler.

Tsai sa at gruppen vil fortsette å jobbe på sjetongene som det snakker med ulike grupper. Sjetongene vil ikke være klare til markedet i noen år.